IPP80R900P7XKSA1, CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014556182
- Артикул
- IPP80R900P7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- CoolMOS™ P7
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 224 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия МОП-транзисторов Infineon 800V CoolMOS™ P7 superjunction идеально подxодит для SMPS-приложений с низким энергопотреблением, поскольку полностью удовлетворяет потребности рынка в производительности, простоте использования и соотношении цена/качество.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | CoolMOS™ P7 |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Серия | CoolMOS P7 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 110ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | IPP80R900 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 20 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PG-TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 900 mO |
| Время нарастания | 8 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6A (Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Другие названия товара № | IPP80R900P7 SP001633486 |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 770 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |