Моя заявка (0)

CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80R360P7XKSA1

CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80R360P7XKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014560482
Артикул
IPP80R360P7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 617,63 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия МОП-транзисторов Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction идеально подxодит для SMPS-приложений с низким энергопотреблением, поскольку полностью удовлетворяет потребности рынка в производительности, простоте использования и соотношении цена/качество.

Технические параметры

SeriesCoolMOS
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation84Вт
СтруктураN-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance0.36 Ω
Drain Source On State Resistance0.31Ом
Maximum Continuous Drain Current13 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока13А
Рассеиваемая Мощность84Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.31Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация