CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80R1K4P7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014560480
- Артикул
- IPP80R1K4P7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- CoolMOS™
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 413,91 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия МОП-транзисторов Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction идеально подxодит для SMPS-приложений с низким энергопотреблением, поскольку полностью удовлетворяет потребности рынка в производительности, простоте использования и соотношении цена/качество.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | CoolMOS™ |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Super Junction |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | IPP80R1 -> |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.4A, 10V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.14 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A (Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 32 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |