N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin TO-220 IPP80N06S2L07AKSA2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014556181
- Артикул
- IPP80N06S2L07AKSA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 3
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPP80N06S2L07AKSA2 от известного производителя INFINEON предназначен для монтажа в отверстия на печатной плате (THT). Этот N-MOSFET транзистор способен управлять током стока до 80 А при напряжении сток-исток 55 В, что делает его подходящим для мощных применений. Максимальная мощность устройства составляет 210 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,01 Ом обеспечивает высокую эффективность. Устройство упаковано в надежный корпус PG-TO220-3-1, который облегчает его установку и радиаторное охлаждение. Транзистор IPP80N06S2L07AKSA2 является отличным выбором для силовой электроники, благодаря своей надежности и производительности. Используйте код IPP80N06S2L07AKSA2 для поиска и заказа этого компонента в нашем интернет-магазине. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 80 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 210 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.01 Корпус PG-TO220-3-1
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPP80N06S2L-07 SP001067894 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 130 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 210 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 7 mO |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 7000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0056 Ом |