Моя заявка (0)

IPP80N06S207AKSA4, IPP Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

IPP80N06S207AKSA4, IPP Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014556178
Артикул
IPP80N06S207AKSA4
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
10 mm
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 615 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon 55 В, N-Ch, 6,6 Мом max, автомобильный МОП-транзистор, TO-220, OptiMOS™. Режим N-канального усиления

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Длина10 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Высота15.65 mm
КорпусTO-220
Ширина4.4 mm
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
ОсобенностиEnhancement Mode
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage55 V
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance6.6 mO
Maximum Continuous Drain Current80 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Другие названия товара №IPP80N06S2-07 SP001067876
Размер фабричной упаковки500
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А207
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация