IPP80N03S4L03AKSA1, Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001292380
- Артикул
- IPP80N03S4L03AKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 588 ₽)
Минимальный заказ: 40 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 30V 80A Автомобильный AEC-Q101 с 3-контактным разъемом (3 + язычка) для подключения к 220AB
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | XPP80N03 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 15.65 mm |
| Корпус | TO-220AB |
| Ширина | 4.4 mm |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Упаковка | Tube |
| Process Technology | OptiMOS |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 13 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 136W |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Rise Time (ns) | 9 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 140nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 9.75nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 136000 |
| Qg - заряд затвора | 140 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 110 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 110@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Время нарастания | 9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 62 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 80 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 7500@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2.7@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 136 W |
| Другие названия товара № | IPP80N03S4L-03 IPP8N3S4L3XK SP000275328 |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 62 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 136 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |