Моя заявка (0)

IPP65R190CFDXKSA2, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Through Hole

IPP65R190CFDXKSA2, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013419448
Артикул
IPP65R190CFDXKSA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
68 nC
V(DS)
650 V
P(tot)
151 W
Package
TO-220
Цена по запросу
(от 513 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon 650V CoolMOS CFD2 - это второе поколение лидирующиx на рынке высоковольтныx МОП-транзисторов CoolMOS со встроенным быстродействующим диодом в корпусе.

Технические параметры

Q(g)68 nC
V(DS)650 V
P(tot)151 W
PackageTO-220
R(thJC)0.83 K/W
MountingTHT
PackagingTUBE
AutomotiveNO
TechnologyCoolMOS
Вес, г1
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeN Channel
Package TypePG-TO 220
КорпусTO-220
ConfigurationN-CH
Mounting TypeSMD
RDS(on)at 10V171 mOhm
Fast bodydiodeYES
I(D)at Tc=25°C17.5 A
Power Dissipation151Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Maximum Drain Source Voltage700 V
Drain Source On State Resistance0.171Ом
Maximum Continuous Drain Current17.5 A
Линейка ПродукцииCoolMOS CFD2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока17.5А
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А17.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.171 Ом

Техническая документация