IPP65R190C7FKSA1, CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032904470
- Артикул
- IPP65R190C7FKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 15.95mm
- Series
- CoolMOS™ C7
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 5
Цена по запросу
(от 510 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Width | 15.95mm |
| Series | CoolMOS™ C7 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 0.9V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 72 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 190 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 72 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |