Моя заявка (0)
MOSFET Transistor, 18 A PG-TO 220 IPP65R125C7XKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030977037
Артикул
IPP65R125C7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Qg
35 нКл
Tab
Tab
PPAP
No
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 1 285,11 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon CoolMOS C7 - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые примененная.

Технические параметры

Qg35 нКл
TabTab
PPAPNo
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePG-TO 220
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyCoolMOS
СтруктураMOSFET
ПолярностьN-Channel
Standard Package NameTO
Тип монтажаThrough Hole
Typical Fall Time (ns)8
Typical Rise Time (ns)15
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)101000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)35
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)35@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)30
Typical Turn-On Delay Time (ns)14
Maximum Continuous Drain Current18 A
Maximum Drain Source Voltage (V)650
Typical Turn-Off Delay Time (ns)71
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)18
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1670@400V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)125@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm)111@10V
Диапазон рабочих температур-55°C~150°C
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация