Моя заявка (0)

IPP65R065C7XKSA1, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Through Hole

IPP65R065C7XKSA1, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000353506
Артикул
IPP65R065C7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.1
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-220
Power Dissipation
171Вт
Цена по запросу
(от 1 520 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPP65R065C7, SP001080100

Технические параметры

Вес, г0.1
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220
Power Dissipation171Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Drain Source On State Resistance0.058Ом
Линейка ПродукцииCoolMOS C7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока33А
Рассеиваемая Мощность171Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.058Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А33
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.058 Ом

Техническая документация