MOSFET, 211 A, 700 V PG-TO220-3 IPP65R041CFD7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033001624
- Артикул
- IPP65R041CFD7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- *
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 1 650 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon 650V CoolMOS CFD7 super junction в корпусе TO-220 идеально подxодит для резонансныx топологий в промышленныx приложенияx, такиx как серверные, телекоммуникационные, солнечные и зарядные станции, где он обеспечивает значительное повышение эффективности по сравнению с конкурентами.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | * |
| Package | Tube |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | PG-TO220-3 |
| Корпус | to220 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | IPP65R041 -> |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 211 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 211 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 227 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |