Моя заявка (0)

IPP60R950C6XKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

IPP60R950C6XKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001293160
Артикул
IPP60R950C6XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
No
Mounting
Through Hole
Packaging
Tube
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 631 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 600V 4.4A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) для трубки TO-220

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220
ConfigurationSingle
Package Width4.4 mm
Package Length10 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyCoolMOS C6
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
Typical Fall Time (ns)13
Typical Rise Time (ns)8
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)37000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)13
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)13@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)20
Typical Turn-On Delay Time (ns)10
Maximum Drain-Source Voltage (V)600
Typical Turn-Off Delay Time (ns)60
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3.5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)4.4
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)280@100V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)950@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)860@10V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация