Моя заявка (0)

IPP60R299CPXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 11А, 96Вт, PG-TO220

IPP60R299CPXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 11А, 96Вт, PG-TO220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050393878
Артикул
IPP60R299CPXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
No
Mounting
Through Hole
Packaging
Tube
Цена по запросу
(от 366,99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 650V 11A с 3-контактным разъемом (3+ Tab) для трубки TO-220AB

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г2.08
PCB changed3
Part StatusNRND
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width4.4 mm
Package Length10 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
Standard Package NameTO
Typical Fall Time (ns)5
Typical Rise Time (ns)5
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)96000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)22
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)22@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)10
Maximum Drain-Source Voltage (V)650
Typical Turn-Off Delay Time (ns)40
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3.5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)11
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1100@100V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)299@10V
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)34

Техническая документация