Моя заявка (0)

IPP60R210CFD7XKSA1, CoolMOS 7 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

IPP60R210CFD7XKSA1, CoolMOS 7 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014556176
Артикул
IPP60R210CFD7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
23 nC
V(DS)
650 V
P(tot)
64 W
Series
CoolMOS™ 7
Цена по запросу
(от 337 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon CoolMOS - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies.

Технические параметры

Q(g)23 nC
V(DS)650 V
P(tot)64 W
SeriesCoolMOS™ 7
PackageTO-220
R(thJC)1.94 K/W
MountingTHT
PackagingTUBE
Pin Count3
AutomotiveNO
TechnologyCoolMOS
Вес, г1
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeN
Package TypeTO-220
КорпусTO-220
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V210 mOhm
Fast bodydiodeYES
I(D)at Tc=25°C42 A
Power Dissipation64Вт
СтруктураN-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance210 mO
Drain Source On State Resistance0.171Ом
Maximum Continuous Drain Current12 A
Линейка ПродукцииCoolMOS CFD7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока12А
Рассеиваемая Мощность64Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.171Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация