Моя заявка (0)

IPP60R180P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой

IPP60R180P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070176220
Артикул
IPP60R180P7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
600V CoolMOS P7
Pin Count
3
Вес, г
1
Серия
CoolMOS P7
Цена по запросу
(от 310 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Технические параметры

Series600V CoolMOS P7
Pin Count3
Вес, г1
СерияCoolMOS P7
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада8 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage600 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Qg - заряд затвора25 nC
Maximum Drain Source Resistance0.18 Ω
Время нарастания12 ns
Maximum Continuous Drain Current18 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности72 W
Другие названия товара №IPP60R180P7 SP001606038
Id - непрерывный ток утечки18 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток145 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения85 ns
Типичное время задержки при включении14 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V

Техническая документация