IPP60R180C7XKSA1, MOSFETs HIGH POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006207329
- Артикул
- IPP60R180C7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS C7
- Series:
- CoolMOS C7
- Military
- No
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPP60R180C7XKSA1 от INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент в корпусе PG-TO220, предназначенный для монтажа THT. Он отличается током стока 13 А, напряжением сток-исток 600 В и мощностью 68 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,18 Ом, что обеспечивает эффективную и экономичную работу в различных электронных схемах. IPP60R180C7XKSA1 – идеальный выбор для проектов, требующих надежного и долговечного полевого транзистора с высокими электрическими характеристиками. Код продукта для поиска на сайте: IPP60R180C7XKSA1. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 13 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 68 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.18 Корпус PG-TO220
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS C7 |
| Series: | CoolMOS C7 |
| Military | No |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 7 ns |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 1.95 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Part # Aliases: | IPP60R180C7 SP001277624 |
| Supplier Package | TO-220 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 24 nC |
| Process Technology | CoolMOS C7 |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 68 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.3 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.18 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 68000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 24 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 24@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 600 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 13 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1080@400V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 180@10V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 155 mOhms |