IPP60R160P7XKSA1, MOSFET транзистор TO220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070176222
- Артикул
- IPP60R160P7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 3.6
- Channel Type
- N Channel
- Package Type
- PG-TO 220
- Mounting Type
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 910 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор HIGH POWER_NEW
Технические параметры
| Вес, г | 3.6 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PG-TO 220 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 81Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 31 nC |
| Drain Source On State Resistance | 0.12Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 66 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Рассеиваемая Мощность | 81Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 81 W |
| Другие названия товара № | IPP60R160P7 SP001866174 |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 160 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.12Ом |