IPP60R160P6XKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002180391
- Артикул
- IPP60R160P6XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TO220-3
- Series
- CoolMOS P6
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPP60R160P6XKSA1 от производителя INFINEON – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия печатной платы (THT). Обладая током стока 23,8 А и напряжением сток-исток до 600 В, этот транзистор способен управлять значительными энергетическими нагрузками с мощностью до 176 Вт. Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии, всего 0,16 Ом, что обеспечивает эффективную работу и минимизацию потерь. Корпус PG-TO220 гарантирует надежное прилегание и удобство монтажа. Применяется в различных сферах электроники, включая импульсные блоки питания и преобразователи частоты. Модель IPP60R160P6XKSA1 станет надежным решением для вашей электронной аппаратуры. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 23.8 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 176 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.16 Корпус PG-TO220
Технические параметры
| Case | PG-TO220-3 |
| Series | CoolMOS P6 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | CoolMOS™ P6 |
| Вес, г | 1.95 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | TO-220 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-220 |
| Drain current | 23.8A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 176W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.16Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 600V |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.16 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 23.8 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 23.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 176 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |