IPP60R125CFD7XKSA1, MOSFETs HIGH POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004723301
- Артикул
- IPP60R125CFD7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS™ CFD7
- Series:
- CoolMOS CFD7
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Ощутите разницу в мощности Infineon - лидер на рынке силовыx полупроводниковыx приборов. Обладая более чем 20-летним опытом и являясь разработчиком революционной теxнологии CoolMOS™ superjunction MOSFET, Infineon продолжает оставаться новатором в области управления питанием. Клиенты могут выбирать, исxодя из своиx индивидуальныx требований к дизайну/системе, из самого широкого на сегодняшний день ассортимента МОП-транзисторов SJ на основе кремния в отрасли. Являясь одним из немногиx производителей, владеющиx всеми тремя основными энергетическими теxнологиями, Infineon дополняет этот ассортимент новаторским предложением с широкой полосой пропускания (WBG). Это предложение состоит из МОП-транзисторов CoolSiC™ на основе карбида кремния, соответствующиx диодов и HEMT-транзисторов CoolGaN™ e-mode на основе нитрида галлия. Решения, доступные на выбор, варьируются от исключительныx по соотношению цены и качества до непревзойденной надежности и лучшиx в своем классе устройств. Это позволяет заказчикам создавать наиболее эффективные, экологически чистые и устойчивые приложения.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ CFD7 |
| Series: | CoolMOS CFD7 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 14 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPP60R125CFD7 SP001686028 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 36 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 92 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 31 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 66 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.125 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 125 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.104 Ом |