IPP60R Type N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R120P7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564632
- Артикул
- IPP60R120P7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS™ P7
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 3
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 597,50 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon 600V CoolMOS™ P7 является преемником серии 600V CoolMOS™ P6. В процессе проектирования по-прежнему соблюдается баланс между необxодимостью обеспечения высокой эффективности и простотой использования.
Технические параметры
| Series | CoolMOS™ P7 |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 6 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 8.2A, 10V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Power Dissipation (Max) | 95W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Qg - заряд затвора | 36 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 120 mΩ |
| Время нарастания | 14 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1544 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 95 W |
| Другие названия товара № | IPP60R120P7 SP001647028 |
| Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 81 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 100 mOhms |