SIlIcon N-Channel MOSFET, 19 A, 650 V, 3-PIn TO-220 InfIneon IPP60R120C7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070176224
- Артикул
- IPP60R120C7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.2
- Длина
- 10 mm
Цена по запросу
(от 551 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор HIGH POWER_NEW
Технические параметры
| Series | CoolMOS |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.2 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | CoolMOS C7 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 15.65 mm |
| Ширина | 4.4 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Material | Silicon |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.12 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 19 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 92 W |
| Другие названия товара № | IPP60R120C7 SP001385054 |
| Id - непрерывный ток утечки | 19 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 120 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |