Моя заявка (0)

CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 19 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R120C7XKSA1

CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 19 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R120C7XKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014564521
Артикул
IPP60R120C7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
10 mm
Цена по запросу
(от 968,01 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Infineon, также известные как МОП-транзисторные транзисторы, расшифровываются как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.

Технические параметры

SeriesCoolMOS
Pin Count3
Вес, г1
Длина10 mm
СерияCoolMOS C7
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Высота15.65 mm
КорпусTO-220
Ширина4.4 mm
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
ОсобенностиEnhancement Mode
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage650 V
Канальный режимEnhancement
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Qg - заряд затвора34 nC
Maximum Drain Source Resistance0.12 Ω
Maximum Continuous Drain Current19 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности92 W
Другие названия товара №IPP60R120C7 SP001385054
Id - непрерывный ток утечки19 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А19
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)120 mOhms

Техническая документация