CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET, 37.9 A, 650 V Enhancement, 4-Pin TO-220 IPP60R099P6XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000002179
- Артикул
- IPP60R099P6XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.57mm
- Series
- CoolMOS™ P6
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 5
Цена по запросу
(от 1 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Infineon серии CoolMOS™E6/P6: Линейка МОП-транзисторов Infineon серий CoolMOS ™ E6 и P6. Эти высокоэффективные устройства могут быть использованы в различныx областяx применения, включая коррекцию коэффициента мощности (PFC), освещение и бытовые устройства, а также солнечную энергию, телекоммуникации и серверы.
Технические параметры
| Width | 4.57mm |
| Series | CoolMOS™ P6 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 0.9V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 278 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 99 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 37.9 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 37.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 278 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |