Моя заявка (0)

IPP60R099C6XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 37,9A 278Вт 0,09Ом TO220

IPP60R099C6XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 37,9A 278Вт 0,09Ом TO220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008510141
Артикул
IPP60R099C6XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4.9mm
Series
CoolMOS C6
Pin Count
3
Вес, г
5.48
Цена по запросу
(от 1 070 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPP60R099C6XKSA1 от производителя INFINEON - это высококачественный N-MOSFET, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). С устойчивым током стока 37,9 А и напряжением сток-исток 600 В, этот компонент гарантирует надежную работу в широком диапазоне применений. Мощность транзистора достигает 278 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,099 Ом, обеспечивает эффективную и экономичную работу. Корпус PG-TO220 обеспечивает простоту установки и долговечность. Если вам необходим надежный транзистор для вашего проекта, модель IPP60R099C6XKSA1 будет оптимальным выбором. При заказе укажите код IPP60R099C6XKSA1 для ускорения процесса обработки. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 37.9 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 278 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.099 Корпус PG-TO220

Технические параметры

Width4.9mm
SeriesCoolMOS C6
Pin Count3
Вес, г5.48
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Корпусto220
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-МОП
Transistor MaterialSi
Forward Diode Voltage0.9V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation35 W
Typical Gate Charge @ Vgs119 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Drain Source Resistance99 mΩ
Maximum Continuous Drain Current38 A
Пороговое напряжение на затворе-2…-4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А37.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт278
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0, 09Ом

Техническая документация