IPP60R080P7XKSA1, CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 37 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032913147
- Артикул
- IPP60R080P7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS™ P7
- Series:
- CoolMOS P7
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 560 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon 600V CoolMOS™ P7 является преемником серии 600V CoolMOS™ P6. В процессе проектирования по-прежнему соблюдается баланс между необxодимостью обеспечения высокой эффективности и простотой использования. Лучшая в своем классе теxнология R onxA и низкий уровень заряда затвора (Qg) платформы CoolMOS™ 7-го поколения обеспечивают ее высокую эффективность.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ P7 |
| Series: | CoolMOS P7 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 5 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 10 ns |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPP60R080P7 SP001647034 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 51 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 129 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 37 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 80 mO |
| Maximum Continuous Drain Current | 37 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 69 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 37 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |