IPP60R016CM8XKSA1, MOSFETs 600VCoolMOSCM8P owerTransistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038518471
- Артикул
- IPP60R016CM8XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- IPP
- Pin Count
- 3
- Mount Type
- Through Hole
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Платформа Infineon CoolMOS 8-го поколения - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies. Серия CoolMOS CM8 мощностью 600 В является преемницей CoolMOS 7. Он сочетает в себе преимущества быстропереключаемого МОП-транзистора SJ с превосxодной простотой использования, например, низкую склонность к звонкам, встроенный во все продукты диод fast body с исключительной устойчивостью к жесткой коммутации и превосxодными возможностями защиты от электростатического разряда. Кроме того, чрезвычайно низкие потери при переключении и проводимости CM8 делают коммутацию еще более эффективной.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | IPP |
| Pin Count | 3 |
| Mount Type | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TO220-3 |
| Product Type | MOSFET |
| Forward Voltage Vf | 0.9V |
| Структура | MOSFET |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | JEDEC, RoHS |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Power Dissipation Pd | 625W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 171nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 135A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 16mΩ |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 180 mOhms |