IPP Type N-Channel MOSFET, 9.9 A, 500 V TO-220 IPP50R380CEXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033342260
- Артикул
- IPP50R380CEXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TO220-3
- Width
- 4.57mm
- Series
- CoolMOS CE
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 297,08 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Платформа Infineon, оптимизированная по соотношению цены и качества, позволяет ориентироваться на чувствительные к затратам приложения на потребительском рынке и рынке освещения, соxраняя при этом высочайшие стандарты эффективности.
Технические параметры
| Case | PG-TO220-3 |
| Width | 4.57mm |
| Series | CoolMOS CE |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | CoolMOS™ |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | PG-TO220-3 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-220 |
| Drain current | 9.9A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 73W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.38Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 500V |
| Forward Diode Voltage | 0.85V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 73 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 24.8 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 380 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.9 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |