Моя заявка (0)

Транзистор IPP50N10S3L-16 Infineon, 50 А, 100 В, 0.0131 Ом, 10 В, 1.7 В

Транзистор IPP50N10S3L-16 Infineon, 50 А, 100 В, 0.0131 Ом, 10 В, 1.7 В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050933313
Артикул
IPP50N10S3L-16
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.43
Корпус
PG-TO220-3-1
Структура
N-Channel
Особенности
время спада и нарастания-5 ns
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-ТРАНЗИСТОР IPP50N10S3L-16 - это N-канальный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от Infineon Technologies. максимальная рабочая температура: +175 °C; минимальная рабочая температура: -55 °C; рассеивание мощности: 100 Вт; время спада: 5 ns; время нарастания: 5 ns; сопротивление сток-исток: 15,4 mOhms; полярность транзистора: N-Channel; напряжение пробоя сток-исток: 100 V; непрерывный ток утечки: 50 A; напряжение затвор-исток: 20 V; типичное время задержки выключения: 28 ns; типичное время задержки при включении: 10 ns. Тип канала: N-канальный Корпус: PG-TO220-3-1 Данный компонент предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется управление мощностью.

Технические параметры

Вес, г0.43
КорпусPG-TO220-3-1
СтруктураN-Channel
Особенностивремя спада и нарастания-5 ns
Пороговое напряжение на затворе1.7
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В+20 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)16 мОм

Техническая документация