Транзистор IPP410N30NAKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075241020
- Артикул
- IPP410N30NAKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 9 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 9 ns
Цена по запросу
(от 1 060 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Infineon, также известные как МОП-транзисторные транзисторы, расшифровываются как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 9 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPP410N30N SP001082134 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 65 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 44 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 52 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |