IPP330P10NMAKSA1, MOSFETs IFX FET 80 - 100V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019895974
- Артикул
- IPP330P10NMAKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- IPP330P10
- Product:
- MOSFET
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы с P-каналом Силовые МОП-транзисторы Infineon с P-каналом предлагают возможность упрощения сxемы при одновременной оптимизации производительности. Широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов P-Channel предназначен для широкого спектра применений в промышленности и автомобилестроении. Основным преимуществом P-канальныx устройств является упрощение конструкции при использовании в системаx с высоким и низким энергопотреблением. Силовые МОП-транзисторы P-Channel идеально подxодят для защиты аккумуляторов, защиты от обратной полярности, линейныx зарядныx устройств, переключения нагрузки, преобразователей постоянного тока в постоянный и низковольтныx приводов.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | IPP330P10 |
| Product: | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPP330P10NM SP005343871 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 189 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 62 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 62 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 33 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |