Моя заявка (0)

IPP320N20N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 200В, 34А, 136Вт, PG-TO220-3

IPP320N20N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 200В, 34А, 136Вт, PG-TO220-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070110392
Артикул
IPP320N20N3GXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4.57mm
Series
OptiMOS 3
Pin Count
3
Вес, г
2.02
Цена по запросу
(от 256,15 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPP320N20N3GXKSA1 от INFINEON – это мощный компонент для схем, требующих высокой надежности и эффективности. Монтаж данного элемента осуществляется через технологию THT, что обеспечивает простоту установки. Транзистор способен управлять током стока до 34 А, что делает его подходящим для различных применений средней мощности. Напряжение сток-исток составляет 200 В, что позволяет использовать его в широком диапазоне электронных устройств. Мощность транзистора достигает 136 Вт, что свидетельствует о его высокой производительности. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,032 Ом гарантирует минимальные потери мощности. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает надежную защиту компонента и удобство монтажа. IPP320N20N3GXKSA1 – это выбор профессионалов для задач, где требуется качественное управление мощностью. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 34 Напряжение сток-исток, В 200 Мощность, Вт 136 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.032 Корпус PG-TO220-3

Технические параметры

Width4.57mm
SeriesOptiMOS 3
Pin Count3
Вес, г2.02
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Transistor MaterialSi
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation136 W
Typical Gate Charge @ Vgs22 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage200 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance32 mΩ
Maximum Continuous Drain Current34 A

Техническая документация