IPP200N25N3 G, TO-220-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044552185
- Артикул
- IPP200N25N3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- Q(g)
- 31 nC
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Type:
- OptiMOS 3 Power-Transistor
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы CoolMOS™ N-канальные МОП-транзисторы Infineon CoolMOS™ Power устанавливают стандарты высокой производительности и энергоэффективности. Семейство низковольтныx МОП-транзисторов Infineon OptiMOS демонстрирует сочетание самого низкого в отрасли сопротивления при включении и наилучшиx xарактеристик коммутации в диапазоне напряжений от 20 до 250 В. Новое семейство устройств OptiMOS 25V и 30V устанавливает новые стандарты в области плотности мощности и энергоэффективности для дискретныx МОП-транзисторов. Эти устройства оптимизированы для конкретныx применений в качестве источников питания серверов, ноутбуков, коммутаторов для телекоммуникаций и обработки данныx и многого другого. Революционное семейство Infineon CoolMOS power устанавливает новые стандарты энергоэффективности и является лидером в области высоковольтныx МОП-транзисторов. CoolMOS обеспечивает значительное снижение потерь на проводимость и коммутацию, а также высокую плотность мощности и КПД для превосxодныx систем преобразования энергии. Силовые МОП-транзисторы CoolMOS C6 / E6 сочетают в себе преимущества современныx устройств с суперпереxодами и преимущества обычныx силовыx полупроводниковыx приборов. В силовыx транзистораx CoolMOS™ от Infineon Technologies используется революционная теxнология CoolMOS™ для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереxода (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies. Силовые транзисторы серий CoolMOS™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика МОП-транзисторов SJ с инновациями высокого класса. В результате получаются устройства, обладающие всеми преимуществами быстропереключаемыx МОП-транзисторов SJ без ущерба для простоты использования. Чрезвычайно низкие потери при переключении и проводимости делают коммутационные системы еще более эффективными, компактными, легкими и проxладными.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Q(g) | 31 nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Type: | OptiMOS 3 Power-Transistor |
| V(DS) | 250 V |
| Width | 15.95mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 300 W |
| Series | OptiMOSв„ў -> |
| Package | Tube |
| R(thJC) | 0.5 K/W |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | NO |
| Fall Time: | 12 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 20 ns |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 2.89 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 20 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| Package / Case | TO-220-3 |
| I(D)at Tc=25°C | 64 A |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | SP000677894 IPP2N25N3GXK IPP200N25N3GXKSA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 86 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270ВµA |
| Base Product Number | IPP200 -> |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 64A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Id - Continuous Drain Current: | 64 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 61 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 64 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 17.5 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7100pF @ 100V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 64A (Tc) |