Моя заявка (0)
IPP200N15N3 G, Микросхема

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038879991
Артикул
IPP200N15N3 G
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
OptiMOS 3
Pin Count
3
Вес, г
2
Длина:
10 mm
Цена по запросу
(от 1 280 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3

Технические параметры

SeriesOptiMOS 3
Pin Count3
Вес, г2
Длина:10 mm
Серия:OptiMOS 3
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Высота:15.65 mm
Ширина:4.4 mm
Упаковка:Tube
Технология:Si
Вид монтажа:Through Hole
Время спада:6 ns
Особенности-
Тип продукта:MOSFET
Конфигурация:Single
Подкатегория:MOSFETs
Number of Elements per Chip1
Производитель:Infineon
Maximum Drain Source Voltage150 V
Торговая марка:Infineon Technologies
Упаковка / блок:TO-220-3
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:1 N-Channel
Maximum Drain Source Resistance0.02 Ω
Qg - заряд затвора:23 nC
Maximum Continuous Drain Current50 A
Время нарастания:11 ns
Категория продукта:МОП-транзистор
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Pd - рассеивание мощности:150 W
Другие названия товара №:SP000680884 IPP2N15N3GXK IPP200N15N3GXKSA1
Id - непрерывный ток утечки:50 A
Коммерческое обозначение:OptiMOS
Размер фабричной упаковки:500
Vgs - напряжение затвор-исток:- 20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:20 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:150 V
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Максимальная рабочая температура:+ 175 C
Типичное время задержки выключения:23 ns
Типичное время задержки при включении:14 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :2 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:29 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация