Моя заявка (0)
IPP147N12N3 G, MOSFETs N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005505322
Артикул
IPP147N12N3 G
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
2.39
Длина
10 mm
Серия
OptiMOS 3
Высота
15.65 mm
Цена по запросу
(от 213,39 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3

Технические параметры

Вес, г2.39
Длина10 mm
СерияOptiMOS 3
Высота15.65 mm
Корпусto220
Ширина4.4 mm
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада4 nS
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора37 nC
Время нарастания9 nS
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности107 W
Другие названия товара №SP000652742 IPP147N12N3GXK IPP147N12N3GXKSA1
Id - непрерывный ток утечки56 A
Коммерческое обозначениеOptiMOS
Размер фабричной упаковки500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток14.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток120 V
Пороговое напряжение на затворе5V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения24 nS
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В120
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А56
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация