Моя заявка (0)
IPP129N10NF2SAKMA1, MOSFETs IFX FET 80 - 100V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008742868
Артикул
IPP129N10NF2SAKMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
19 nC
V(DS)
100 V
P(tot)
71 W
Series
IPP129N10NF2S
Цена по запросу
(от 172,61 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon IPP129N10NF2S - это N-канальный силовой МОП-транзистор. Напряжение стока-истока этого моп-транзистора составляет 100 В.

Технические параметры

Q(g)19 nC
V(DS)100 V
P(tot)71 W
SeriesIPP129N10NF2S
PackageTO-220
R(thJC)2.1 K/W
MountingTHT
PackagingTUBE
Pin Count3
AutomotiveNO
TechnologyStrongIR 2
Вес, г1
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeN
Package TypeTO-220
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V11.6 mOhm
Fast bodydiodeYES
I(D)at Tc=25°C52 A
Power Dissipation71Вт
СтруктураMOSFET
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.8V
Drain Source On State Resistance0.0116Ом
Maximum Continuous Drain Current12 A
Линейка ПродукцииStrongIRFET 2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока52А
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация