Моя заявка (0)

IPP Silicon P-Channel MOSFET, 120 A, 40 V, 3-Pin TO-220 IPP120P04P4L03AKSA2

IPP Silicon P-Channel MOSFET, 120 A, 40 V, 3-Pin TO-220 IPP120P04P4L03AKSA2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015660627
Артикул
IPP120P04P4L03AKSA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
IPP
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 1 090 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Канальный МОП-транзистор логического уровня Infineon p обладает самыми низкими потерями мощности при переключении и проводимости при высочайшей тепловой эффективности.

Технические параметры

SeriesIPP
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeTO-220
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation136Вт
СтруктураP-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Gate Threshold Voltage2.2V
Maximum Drain Source Resistance0.0034 Ω
Drain Source On State Resistance0.0029Ом
Maximum Continuous Drain Current120 A
Линейка ПродукцииOptiMOS-P2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока120А
Рассеиваемая Мощность136Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.7В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0029Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация