IPP120N20NFDAKSA1, IPP Type N-Channel MOSFET, 84 A TO-220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030977034
- Артикул
- IPP120N20NFDAKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TO220-3
- Q(g)
- 65 nC
- V(DS)
- 200 V
- P(tot)
- 300 W
Цена по запросу
(от 1 130 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Быстродействующий диод Infineon N channel OptiMOS оптимизирован для жесткой коммутации корпусныx диодов. Этот МОП-транзистор имеет диапазон рабочиx температур от -55°C до 175°C.
Технические параметры
| Case | PG-TO220-3 |
| Q(g) | 65 nC |
| V(DS) | 200 V |
| P(tot) | 300 W |
| Package | TO-220 |
| R(thJC) | 0.3 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Automotive | NO |
| Technology | OptiMOS™ FD |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | PG-TO220-3 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-220 |
| Configuration | N-CH |
| Drain current | 84A |
| RDS(on)at 10V | 12 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 84 A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 300W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 12mΩ |
| Drain-source voltage | 200V |
| Особенности | - |
| Maximum Continuous Drain Current | 84 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 84 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |