OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP120N08S403AKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016042699
- Артикул
- IPP120N08S403AKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS-T2
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 987,93 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя семейства CoolMOS, OptiMOS и Strong IRFET.
Технические параметры
| Series | OptiMOS-T2 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 278Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0028 O |
| Drain Source On State Resistance | 0.0024Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS T2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 120А |
| Рассеиваемая Мощность | 278Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@223uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0024Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 278 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.8mΩ@10V, 100A |