IPP114N12N3GXKSA1, Power MOSFET, N Channel, 120 V, 75 A, 0.0098 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8704240881
- Артикул
- IPP114N12N3GXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TO220-3
- Mounting
- THT
- Technology
- OptiMOS™ 3
- Вес, г
- 0.45
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPP114N12N3GXKSA1 производства INFINEON относится к категории N-MOSFET и предназначен для THT монтажа. Этот мощный компонент обладает током стока 300 А, напряжением сток-исток 120 В и мощностью 136 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,0114 Ом, что обеспечивает высокую эффективность. Корпус PG-TO220-3 гарантирует надежность и удобство при монтаже. Модель IPP114N12N3GXKSA1 идеально подходит для широкого спектра областей применения, требующих высокомощных решений. Продукт IPP114N12N3GXKSA1 сочетает в себе передовые технологии INFINEON и представляет собой оптимальный выбор для разработчиков в области электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 300 Напряжение сток-исток, В 120 Мощность, Вт 136 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0114 Корпус PG-TO220-3
Технические параметры
| Case | PG-TO220-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | OptiMOS™ 3 |
| Вес, г | 0.45 |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-220 |
| Drain current | 75A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 136W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 11.4mΩ |
| Drain-source voltage | 120V |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 136 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0098 Ом |