IPP114N12N3 G, MOSFETs N-Ch 120V 75A TO220-3 OptiMOS 3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004635560
- Артикул
- IPP114N12N3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 7 nS
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 36 nS
Цена по запросу
(от 332 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TO-220 МОП-транзисторов ROHS
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 7 nS |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 36 nS |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPP114N12N3GXK SP000652740 IPP114N12N3GXKSA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 49 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 nS |
| Id - Continuous Drain Current: | 75 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |