IPP111N15N3GXKSA1, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 83 A, 0.0094 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8996070146
- Артикул
- IPP111N15N3GXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 4.4 mm
- Height
- 15.65 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPP111N15N3GXKSA1 производства INFINEON обеспечивает высокую эффективность в управлении мощностями благодаря своим характеристикам. Модель устанавливается методом THT, что облегчает монтаж в печатные платы. С током стока до 83 А и напряжением сток-исток на уровне 150 В, данный N-MOSFET транзистор способен работать в системах с повышенными требованиями к мощности, при этом его максимальная мощность достигает 214 Вт. Отличительной чертой является низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0111 Ом, что гарантирует высокую проводимость и эффективность. Корпус PG-TO220-3 гарантирует надежность и долговечность использования. Полевой транзистор IPP111N15N3GXKSA1 от INFINEON – ваш выбор для создания эффективных и мощных электронных устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 83 Напряжение сток-исток, В 150 Мощность, Вт 214 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0111 Корпус PG-TO220-3
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 4.4 mm |
| Height | 15.65 mm |
| Length | 10 mm |
| Series | XPP111N15 |
| Fall Time | 9 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 35 ns |
| Tradename | OptiMOS |
| Technology | Si |
| Вес, г | 6 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 15.65 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part # Aliases | G IPP111N15N3 IPP111N15N3GXK SP000677860 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 55 nC |
| Упаковка | Tube |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 9 ns |
| Pd - Power Dissipation | 214 W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 214 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 17 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 32 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Id - Continuous Drain Current | 83 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 47 S |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 55 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 11.3 mΩ |
| Время нарастания | 35 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 83 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 9.4 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 214 W |
| Другие названия товара № | IPP111N15N3 G SP000677860 |
| Id - непрерывный ток утечки | 83 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 83 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 47 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 214 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0094 Ом |