IPP111N15N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 150В, 83А, 214Вт, PG-TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070115850
- Артикул
- IPP111N15N3GXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 4.4 mm
- Height
- 15.65 mm
Цена по запросу
(от 486 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 4.4 mm |
| Height | 15.65 mm |
| Length | 10 mm |
| Series | XPP111N15 |
| Fall Time | 9 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 35 ns |
| Tradename | OptiMOS |
| Technology | Si |
| Вес, г | 2.04 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 15.65 mm |
| Ширина | 4.4 mm |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part # Aliases | G IPP111N15N3 IPP111N15N3GXK SP000677860 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 55 nC |
| Упаковка | Tube |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 9 ns |
| Pd - Power Dissipation | 214 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 214 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 17 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 32 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Id - Continuous Drain Current | 83 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 47 S |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 55 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 11.3 mΩ |
| Время нарастания | 35 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 83 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 9.4 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 214 W |
| Другие названия товара № | IPP111N15N3 G SP000677860 |
| Id - непрерывный ток утечки | 83 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 47 S |