IPP100N08N3GXKSA1, Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001292312
- Артикул
- IPP100N08N3GXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.57mm
- Series
- OptiMOS 3
- Military
- No
- Packaging
- Tube
Цена по запросу
(от 273 ₽)
Минимальный заказ: 278 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3
Технические параметры
| Width | 4.57mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| Military | No |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 1 |
| Длина: | 10 mm |
| Серия: | OptiMOS 3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Высота: | 15.65 mm |
| Ширина: | 4.4 mm |
| Supplier Package | TO-220 |
| Упаковка: | Tube |
| Process Technology | OptiMOS |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Время спада: | 5 ns |
| Transistor Configuration | Single |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | Infineon |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Торговая марка: | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок: | TO-220-3 |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Maximum Drain Source Resistance | 18.2 mΩ |
| Qg - заряд затвора: | 35 nC |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 100000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 26 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 26@10V |
| Время нарастания: | 46 ns |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 80 |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 70 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1810@40V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 10@10V |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 100 W |
| Другие названия товара №: | IPP100N08N3 G SP000680856 |
| Id - непрерывный ток утечки: | 70 A |
| Коммерческое обозначение: | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки: | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 8.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 80 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения: | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 30 S |