IPP086N10N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067176563
- Артикул
- IPP086N10N3GXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Military
- No
- Packaging
- Tube
- Pin Count
- 3
- Automotive
- Yes
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPP086N10N3GXKSA1 от производителя INFINEON является высокомощным компонентом, предназначенным для монтажа в отверстия (THT) на печатных платах. Устройство отличается током стока до 80 А и напряжением сток-исток 100 В, обеспечивая стабильную работу в различных электронных схемах. Мощность устройства составляет 125 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0086 Ом способствует эффективной работе и минимальным потерям мощности. Тип N-MOSFET данного транзистора гарантирует высокий уровень производительности для широкого спектра применений. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает удобную установку и надежность использования. Для заказа используйте код IPP086N10N3GXKSA1 без пробелов и специальных символов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 80 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 125 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0086 Корпус PG-TO220-3
Технические параметры
| Military | No |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 2.08 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PG-TO220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Package | TO-220 |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Process Technology | OptiMOS 3 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0074Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 125000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 42 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 42@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Линейка Продукции | OptiMOS 3 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.5 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 80 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2990@50V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 8.6@10V |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.7В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0074Ом |