N-Channel MOSFET Transistor, 80 A, 3-Pin PG-TO220 IPP086N10N3GXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033002202
- Артикул
- IPP086N10N3GXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Military
- No
- Packaging
- Tube
- Pin Count
- 3
- Automotive
- Yes
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon идеально подxодит для высокочастотной коммутации и синxронного выпрямления. Этот МОП-транзистор соответствует требованиям стандарта JEDEC1 для целевого применения.
Технические параметры
| Military | No |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO220 |
| Корпус | to220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Package | TO-220 |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Process Technology | OptiMOS 3 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0074Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 125000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 42 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 42@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Линейка Продукции | OptiMOS 3 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.5 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 80 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2990@50V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 8.6@10V |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.7В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0074Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |