IPP086N10N3 G, TO-220-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017632065
- Артикул
- IPP086N10N3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 8 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 42 ns
Цена по запросу
(от 172,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 80 А 8.6mOhm@73A,10 В 125 Вт 3.5V@75uA 1 шт. одноканальныx МОП-транзисторов TO-220-3 ROHS
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 42 ns |
| Вес, г | 2.8 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | SP000680840 IPP86N1N3GXK IPP086N10N3GXKSA1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 55 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |