Моя заявка (0)

IPP083N10N5AKSA1, Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

IPP083N10N5AKSA1, Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002222734
Артикул
IPP083N10N5AKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Military
No
Packaging
Tube
Pin Count
3
Automotive
Yes
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 170 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-канальный, 100 В, 73 А, TO-220; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 73 А; Напряжение источника стока Vds: 100 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0073 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:3 В; Рассеиваемая мощность Pd: 100 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-220; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 175°C; Ассортимент продукции: OptiMOS 5 Series; Автомобильный квалификационный стандарт: -; MSL:-; SVHC:Без SVHC (27 июня 2018 г.)

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveYes
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePG-TO220-3
КорпусTO-220
Mounting TypeSMD
Supplier PackageTO-220
Process TechnologyOptiMOS 5
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-220
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Operating Temperature - (??C)-55~175
Maximum Continuous Drain Current73 A
Maximum Power Dissipation - (mW)100000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)30
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)30@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)20
Maximum Drain Source Voltage - (V)100
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)3.8
Maximum Continuous Drain Current - (A)73
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)2100@50V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)8.3@10V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация