Моя заявка (0)
IPP076N12N3 G, MOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006213817
Артикул
IPP076N12N3 G
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Тип
OptiMOS 3 Power-Transistor
Вес, г
6
Длина
10 mm
Серия
OptiMOS 3
Цена по запросу
(от 403 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

Технические параметры

ТипOptiMOS 3 Power-Transistor
Вес, г6
Длина10 mm
СерияOptiMOS 3
Высота15.65 mm
Корпусto220
Ширина4.4 mm
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада10 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора76 nC
Время нарастания50 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности188 W
Другие названия товара №IPP76N12N3GXK SP000652736 IPP076N12N3GXKSA1
Id - непрерывный ток утечки100 A
Коммерческое обозначениеOptiMOS
Размер фабричной упаковки500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток7.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток120 V
Пороговое напряжение на затворе5V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения39 ns
Типичное время задержки при включении24 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В120
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.116 S, 58 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация