IPP075N15N3 G, МОП-Транзистор 150 В 100 А 300 Вт 7,5 мОм при 10 В, 100 А 4 В при 270мкА N-канальные МОП-Транзистор TO-220-2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048653157
- Артикул
- IPP075N15N3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.57mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- IPP075N15N3 G
- Series:
- OptiMOS 3
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
150-вольтовый OptiMOS™ обеспечивает снижение RS(on) на 40% и на 45% по показателю полезного действия (FOM) по сравнению со следующим лучшим конкурентом.
Технические параметры
| Width | 4.57mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | IPP075N15N3 G |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 14 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 35 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Part # Aliases: | SP000680832 IPP75N15N3GXK IPP075N15N3GXKSA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 93 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 65 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.7 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.5 мОм |