IPP072N10N3GXKSA1, Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001292514
- Артикул
- IPP072N10N3GXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- Q(g)
- 51 nC
- V(DS)
- 100 V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPP072N10N3GXKSA1 от производителя INFINEON – высокомощный компонент для создания надежных и эффективных электронных схем. Данный N-MOSFET транзистор предназначен для монтажа в отверстия (THT), обеспечивая простоту интеграции в печатные платы. С током стока до 80 А и напряжением сток-исток 100 В, этот транзистор идеально подходит для управления большими нагрузками. Мощность устройства достигает 150 Вт, что позволяет использовать его в мощных источниках питания и коммутационных устройствах. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,0072 Ом минимизирует потери энергии и повышает эффективность работы устройства. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает удобную установку и хороший теплоотвод. Надежный и долговечный, IPP072N10N3GXKSA1 станет ключевым элементом в вашем проекте. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 80 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 150 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0072 Корпус PG-TO220-3
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| Q(g) | 51 nC |
| V(DS) | 100 V |
| Width | 15.95mm |
| P(tot) | 150 W |
| Series | OptiMOS 3 |
| EU RoHS | Compliant |
| Package | TO-220 |
| R(thJC) | 1 K/W |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Unknown |
| Technology | OptiMOS3 |
| Вес, г | 2.8 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Logic level | NO |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 15.65 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 7.2 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 80 A |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220 |
| Упаковка | Tube |
| Process Technology | OptiMOS |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 9 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 9 |
| Typical Rise Time (ns) | 37 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 68 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 51 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 51 10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.2 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 19 |
| Время нарастания | 37 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 150000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 51 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 51@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 37 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 80 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3690 50V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 80 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7.2 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 3690@50V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 7.2@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Другие названия товара № | IPP72N1N3GXK SP000680830 IPP072N10N3GXKSA1 |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 37 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |